بررسی عوامل مؤثر بر تکثیر سلول‌های اندوتلیال یک بخش اساسی در مطالعات رگزایی است. نظر به اهمیت مهار رگزایی در درمان سرطان‌ها و به دلیل عوارض جانبی و هزینه ‌سنگین داروهای ضد‌رگزایی مثل اوستین، کاربرد عوامل فیزیکی که در درمان کمک کنند و نیاز به دوزهای بالای دارو را کاهش دهند، شایسته توجه است. میدان‌های مغناطیسی به دلیل اثرگذاری از فاصله دور و غیرتهاجمی بودن، مورد توجه هستند و مطالعات زیادی در مورد اثرات آنها روی پدیده‌های زیستی از جمله رگزایی انجام شده است که نتایج انها ناهمگون بوده است. در مطالعه حاضر اثر میدان مغناطیسی متناوب 2 میلی‌تسلا با فرکانس 200 هرتز به همراه اوستین روی تکثیر سلول‌های اندوتلیال ورید بند ناف انسانی (HUVEC) بررسی شده‌ است. سلول‌ها به مدت 48 ساعت تحت تأثیر مخلوط محلول غلظت 50 میکروگرم در میلی‌لیتر فاکتور رشد اندوتلیال عروقی(VEGEF) و اواستین در غلظت‌های‌( صفر(کنترل دارو)، 50، 100، 200 و 400 میکروگرم در میلی‌لیتر) و همچنین گروه‌های تیمار میدان به مدت زمان‌های 3، 6، 12، 24 و 48 ساعت در معرض میدان مغناطیسی قرار‌گرفتند. سپس بررسی تکثیر سلول‌ها با استفاده از تست رنگ‌سنجی آلامار‌بلو انجام شد. داده‌ها با آنالیز واریانس سه‌عاملی تحلیل گردید. بر‌اساس یافته‌ها، زمان‌های مواجهه 12، 24 و 48 ساعت، کاهش معنی‌داری در تکثیر سلول‌ها در مقایسه با گروه کنترل ایجاد کردند اما در تیمارهای 3 و 6 ساعت این تفاوت معنی‌دار نبود. همچنین میزان اثرات تداخلی عوامل مذکور با یکدیگر بر تکثیر HUVEC، مورد بررسی قرار‌گرفت.

واژه‌های کلیدی: میدان مغناطیسی، رگزایی، اوستین، فاکتور رشد اندوتلیال عروقی، سلول اندوتلیال ورید بند ناف انسانی(HUVEC)

متن کامل [PDF 477 kb]   (930 دریافت)