جستجو در مقالات منتشر شده
۲ نتیجه برای امپدانس الکتریکی
الهام شریفی، امرحسین بوچالی، مهرداد ساویز،
دوره ۹، شماره ۲ - ( ۶-۱۳۹۷ )
چکیده
اهداف: محاسبه نحوه توزیع جریان و میزان نفوذ میدانهای الکترومغناطیسی القاشده در بدن و بافتهای زیستی از مباحث مطرح در حوزه بیوالکترومغناطیس است که با دسترسی به هندسه سلول و اندامکهای درون آن میتوان بهطور دقیق سهم هر جزء را در دریافت میدان و توزیع جریان و محاسبه امپدانس برآورد نمود. هدف مطالعه حاضر ایجاد هندسه سهبعدی از سلول و اندامکهای درون آن برای شبیهسازی بیوالکترومغناطیس بود.
مواد و روشها: مطالعه حاضر پژوهشی از نوع محاسباتی است. در این مطالعه یک مدل الکتریکی کامل از سلولهای قشرهای مختلف لایه اپیدرم پوست بههمراه اندامکهای درونی آن با کمک نرمافزار ساوی ۱ ((SAVI ۱ و الگوریتمهای جدید ابتکاری ایجاد شد. در این شکل هندسی اندامکهایی مانند میتوکندری، جسم گلژی، رنگدانه ملانین، ریبوزوم، لیزوزوم و هسته درون سلول در نظر گرفته شدند. در ایجاد اندامکها از تصویر دو بعدی میکروسکوپی آنها استفاده شد.
یافتهها: شکل هندسی برای اندامکها و نمونه سلولی برای تمام قشرهای لایه اپیدرم متناسب با واقعیت ایجاد شد. سلولهای قشر بازال به صورت سلولهای مکعبی و دارای هسته، سلولهای قشر اسپینوزوم چندوجهی و هستهدار، سلولهای قشر گرانولار مسطح و هستهدار بودند و قشر شاخی نیز سلولهای کامل مسطح و فاقد هسته داشت.
نتیجهگیری: ایجاد هندسه سهبعدی از سلول و اندامکهای درون آن برای شبیهسازی بیوالکترومغناطیس امکانپذیر است. این مدل سهبعدی قابلیت ذخیرهسازی به سه فرمت mat، stl و vox و بازیابی در نرمافزارهای SAVI،CST studio و MATLAB را دارد.
دوره ۱۶، شماره ۵ - ( ۵-۱۳۹۵ )
چکیده
دانش مبدلهای صوتی پهنباند از فناوریهای جدید و مهم در حوزه سونار محسوب میشود که با توجه به برخورداری کشور ایران از منابع آبی دریایی، اهمیت دوچندانی پیدا میکند. در این مقاله پس از مقایسه عملکرد انواع ترانسدیوسرها در این حوزه، یک ترانسدیوسر پهنباند با مشخصات امپدانسی و آکوستیکی معلوم که توانایی ارسال و دریافت امواج را دارد، طراحی، شبیهسازی، ساخته و تست شده است. در ابتدا، ابعاد کلی یک ترانسدیوسر پهنباند به کمک مدلسازی پارامتر متمرکز و مدار معادل الکتریکی تقریب زده شده و سپس با افزایش درجات آزادی مدلهای تحلیلی، مشخصات تمام اجزای ترانسدیوسر در یک حالت بهینه برای داشتن پهنای باند بالا به دست آمده است. مدل طراحیشده، به کمک نرمافزار المان محدود کامسول مولتیفیزیک بهصورت سه بعدی شبیهسازی شده تا در ضمن مقایسه با روش طراحی تحلیلی، حل دقیقتری صورت گرفته باشد. سرانجام ترانسدیوسر مذکور ساخته و تست شدهاست تا دادههای تئوری بهدستآمده با نتایج تجربی اعتبار سنجی شوند. نتایج حاصل از آزمایشهای تجربی نشان میدهد که شبیهسازی انجام شده در نرمافزار کامسول مولتیفیزیک، با دقت مناسبی توانسته است فرکانس رزونانس و بیشترین پاسخ ولتاژ ارسالی ترانسدیوسر پهنباند مورد نظر را پیشبینی کند. خطای مدلسازی سه بعدی انجام شده در پیشبینی فرکانس رزونانس و بیشترین پاسخ ولتاژ ارسالی، به ترتیب ۳,۸% و ۵.۷% است. استفاده از روشهای پارامتر متمرکز و مدار معادل الکتریکی هرچند تقریب اولیهای برای ابعاد ترانسدیوسر به دست میدهد ولی در تعیین فرکانس رزونانس و محل رخ دادن بیشترین پاسخ ولتاژ ارسالی درصد خطای بیشتری نسبت به شبیهسازی المان محدود دارد.